Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF4G10LS-160,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	894.2MHz
Усиление	19.7dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	15A
Ток - тестовый	900mA
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	160W
Корпус	2-LDMOST, SOT502B
Встречается под наим.	568-2392, BLF4G10LS-160, BLF4G10LS-160-ND