Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF175,112 — TRANSISTOR RF DMOS SOT123A

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	N-Channel
Частота	108MHz
Усиление	20dB
Номинальное напряжение	125V
Номинал тока	4A
Ток - тестовый	30mA
Напряжение - тестовое	50V
P1dB	30Вт
Корпус	SOT-123A
Встречается под наим.	568-2400, BLF175, BLF175-ND