Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

BG 3430R E6327 — MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистора2 N-Channel (Dual)
Частота800MHz
Усиление25dB
Номинальное напряжение8V
Номинал тока25mA
Коэффициент шума1.3dB
Ток - тестовый14mA
Напряжение - тестовое5V
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.SP000240529
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BG 3130 E6327BG 3130 E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Ток - тестовый: 14mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
BG 3130R E6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363R
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 800MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 25mA  ·  Коэффициент шума: 1.3dB  ·  Ток - тестовый: 14mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BG 3430R E6327» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте