Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BF908WR,115 — MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT343R

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	N-Channel Dual Gate
Частота	200MHz
Номинальное напряжение	12В
Номинал тока	40mA
Коэффициент шума	0.6dB
Ток - тестовый	15mA
Напряжение - тестовое	8V
Корпус	CMPAK-4
Встречается под наим.	568-1969-2, BF908WR T/R