Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
BF1212,215

- Габаритный чертеж

BF1212,215 — MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel Dual Gate
Частота400MHz
Усиление30dB
Номинальное напряжение6V
Номинал тока30mA
Коэффициент шума0.9dB
Ток - тестовый12mA
Напряжение - тестовое5V
КорпусSOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Встречается под наим.568-1962-6
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BF1212R,215BF1212R,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 30dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 12mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-61B
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
BF1212WR,115BF1212WR,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 30dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 12mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: CMPAK-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BF1212,215» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте