Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
BF1211WR,115

- Габаритный чертеж

BF1211WR,115 — MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораN-Channel Dual Gate
Частота400MHz
Усиление29dB
Номинальное напряжение6V
Номинал тока30mA
Коэффициент шума0.9dB
Ток - тестовый15mA
Напряжение - тестовое5V
КорпусCMPAK-4
Встречается под наим.568-1961-2, BF1211WR
ДокументацияBF1211_R_WR.pdf на сайте nxp.com
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BF1211R,215BF1211R,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SC-61B
от 24,15Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BF1211,215BF1211,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 29dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
от 19,48
от 24,15
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «BF1211WR,115» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте