Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BF1109WR,115 — MOSFET N-CH 11V 30MA SOT143B

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	N-Channel Dual Gate
Частота	800MHz
Усиление	20dB
Номинальное напряжение	11В
Номинал тока	30mA
Коэффициент шума	1.5dB
Напряжение - тестовое	9V
Корпус	CMPAK-4
Встречается под наим.	BF1109WR T/R, BF1109WR T/R-ND