Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
VRF2933VRF2933Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 40A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: M177
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF157FLVRF157FLMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 60A  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 600W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF154FLVRF154FLMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 60A  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 600W
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF152VRF152Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 130V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF151GVRF151GMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 36A  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF151VRF151Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF150VRF150Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 16A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF148AVRF148AMicrosemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 50V 30W M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 170V  ·  Номинал тока: 6A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
VRF141VRF141Microsemi-PPGMOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 80V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4350Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 22GHZ 0.3MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 13V  ·  Номинал тока: 85mA  ·  Коэффициент шума: 1.2dB  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4260-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 10.5GHZ 5W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 6GHz  ·  Усиление: 9.5dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 2.35A  ·  Ток - тестовый: 520mA  ·  Напряжение - тестовое: 8.5V  ·  P1dB: 37dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4250-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 10.5GHZ 2.5W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 8.5GHz  ·  Усиление: 8.5dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 1.18A  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 34dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4240-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 12GHZ 1.4W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 8.5GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 588mA  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 31.5dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4230-SCCTriquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 12GHZ 0.7W DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 8.5GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 294mA  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 28.5dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4124Triquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 4GHZ 10W 24MM DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 10.8dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 5.88A  ·  Ток - тестовый: 2.17A  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4118Triquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 6GHZ 7W 18MM DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 4.41A  ·  Ток - тестовый: 1.69A  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 9Вт  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF4112Triquint Semiconductor IncIC TRANS HFET 8GHZ 5W 12MM DIE
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2.3GHz  ·  Усиление: 12.7dB  ·  Номинальное напряжение: 12В  ·  Номинал тока: 2.94A  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 6W  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2961-SD-T/RTGF2961-SD-T/RTriquint Semiconductor IncIC 1W DC-4GHZ HFET SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 780mA  ·  Коэффициент шума: 3.3dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 29.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2960-SD-T/RTGF2960-SD-T/RTriquint Semiconductor IncIC .5W DC-5.0GHZ HFET SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 900MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 390mA  ·  Коэффициент шума: 3.7dB  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 27dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-60Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 6.0MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.3dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.82A  ·  Ток - тестовый: 448mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 38.8dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-48Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 4.8MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 2.25A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 37.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-24Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 1.12A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 34.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 564mA  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 31.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2022-06Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 20GHZ .6MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 12.9dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 282mA  ·  Ток - тестовый: 45mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 28.9dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TGF2021-12Triquint Semiconductor IncIC TRANS PHEMT 12GHZ 12MM DIE
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 10GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 12.5V  ·  Номинал тока: 5.6A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  P1dB: 41.5dBm  ·  Корпус: Die
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте