Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
VRF2933 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: M177 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF157FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF154FL | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF152 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF151G | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 36A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF151 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 16A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF150 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 16A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF148A | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 50V 30W M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
VRF141 | Microsemi-PPG | MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 80V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TGF4350 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 22GHZ 0.3MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 85mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4260-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 10.5GHZ 5W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 6GHz · Усиление: 9.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.35A · Ток - тестовый: 520mA · Напряжение - тестовое: 8.5V · P1dB: 37dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4250-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 10.5GHZ 2.5W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 8.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 1.18A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 34dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4240-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 12GHZ 1.4W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 588mA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 31.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4230-SCC | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 12GHZ 0.7W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 294mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 28.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4124 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 4GHZ 10W 24MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 10.8dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 5.88A · Ток - тестовый: 2.17A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 2Вт · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4118 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 6GHZ 7W 18MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 4.41A · Ток - тестовый: 1.69A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 9Вт · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF4112 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS HFET 8GHZ 5W 12MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 12.7dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.94A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 6W · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2961-SD-T/R | Triquint Semiconductor Inc | IC 1W DC-4GHZ HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 780mA · Коэффициент шума: 3.3dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 29.5dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2960-SD-T/R | Triquint Semiconductor Inc | IC .5W DC-5.0GHZ HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 390mA · Коэффициент шума: 3.7dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-60 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 6.0MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.3dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.82A · Ток - тестовый: 448mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 38.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-48 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 4.8MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.25A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 37.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-24 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 2.4MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.12A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 34.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-12 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ 1.2MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 564mA · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 31.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2022-06 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 20GHZ .6MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 282mA · Ток - тестовый: 45mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 28.9dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-12 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 12MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 5.6A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 41.5dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |