Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA240451E V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA260451E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA240451E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF140451F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-31265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTF210451F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA080551F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210601F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA210701F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 6 7 8910 11 12 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте