Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MMBF4416 | Fairchild Semiconductor | IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 100MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 15mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBF4416A | Fairchild Semiconductor | IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 400MHz · Номинальное напряжение: 35V · Номинал тока: 15mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 5mA · Напряжение - тестовое: 15V · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G22LS-130,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G22-45,135 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5µA · Ток - тестовый: 405mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G22-45,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5µA · Ток - тестовый: 405mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10S-45,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200R,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-230P | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-110,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-135R,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200R,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G20LS-75,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-160,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1GHz · Усиление: 28dB · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-75,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1GHz · Усиление: 28dB · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-110,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-110,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-135R,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-140,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-140,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ATF-541M4-BLK | Avago Technologies US Inc. | IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 120mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 60mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 21.4dBm · Корпус: 4-MiniPak (1412) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA191001E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA181001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |