Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MMBF4416MMBF4416Fairchild SemiconductorIC AMP RF N-CHANNEL SOT-23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF4416AMMBF4416AFairchild SemiconductorIC AMP RF N-CHANNEL SOT-23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 400MHz  ·  Номинальное напряжение: 35V  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22LS-130,118BLF6G22LS-130,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-45,135NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5µA  ·  Ток - тестовый: 405mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22-45,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5µA  ·  Ток - тестовый: 405mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10S-45,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200R,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-230PNXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-110,112BLF6G20-110,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135R,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,118BLF6G10LS-200,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,112BLF6G20LS-75,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,118BLF6G10LS-160,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,118BLF6G20LS-75,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,112BLF6G10LS-160,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-110,118BLF6G20LS-110,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-110,112BLF6G20LS-110,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,118BLF6G20LS-140,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,112BLF6G20LS-140,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ATF-541M4-BLKATF-541M4-BLKAvago Technologies US Inc.IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 5V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 60mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 21.4dBm  ·  Корпус: 4-MiniPak (1412)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA191001E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 44dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA181001E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.85GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 750mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте