Войти Регистрация

Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	TGF4124	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 4GHZ 10W 24MM DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 10.8dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 5.88A · Ток - тестовый: 2.17A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 2Вт · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4230-SCC	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 12GHZ 0.7W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 294mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 28.5dBm · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4240-SCC	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 12GHZ 1.4W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 588mA · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 31.5dBm · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4250-SCC	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 10.5GHZ 2.5W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 8.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 1.18A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 34dBm · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4260-SCC	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS HFET 10.5GHZ 5W DIE Тип транзистора: HFET · Частота: 6GHz · Усиление: 9.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.35A · Ток - тестовый: 520mA · Напряжение - тестовое: 8.5V · P1dB: 37dBm · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TGF4350	Triquint Semiconductor Inc	IC TRANS PHEMT 22GHZ 0.3MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 13V · Номинал тока: 85mA · Коэффициент шума: 1.2dB · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF141	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 80V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF148A	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 30W M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF150	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 16A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF151	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 16A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF151G	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 36A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF152	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: M174	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF154FL	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF157FL	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 60A · Ток - тестовый: 800mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 600W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	VRF2933	Microsemi-PPG	MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 170V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: M177	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 42 43 44 45 46 47 4849следующая Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте