Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
MRFG35030R5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF 3550MHZ 30W 12V HF-600 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 15V · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 30Вт · Корпус: HF-600 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TGF2021-08 | Triquint Semiconductor Inc | IC TRANS PHEMT 12GHZ 8MM DIE Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 3.8A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 39.8dBm · Корпус: Die | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5486RLRP | ON Semiconductor | IC AMP RF N-CH 25V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19100HR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.9dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 22Вт · Корпус: NI-780 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S19090HSR5 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 850mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: NI-780S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ATF-50189-TR2 | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MW6S010MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9045LR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 18.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт · Корпус: NI-360 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF9030LSR5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-360S | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5P20180HR6 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 38Вт · Корпус: NI-1230 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: 10-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BF256AG | ON Semiconductor | TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Частота: 800MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 30В · Номинал тока: 7mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA181001HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MRF5S21045MR1 | Freescale Semiconductor | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.11GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-4 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |