Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2.4GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 55mA · Коэффициент шума: 0.4dB · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 10.5dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: 2-SOIC
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 902MHz ~ 928MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 35V · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-SOIC
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 4GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 140mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 20dBm · Корпус: SOT-86
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 19.9dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 180mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 40mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 17.7dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 390W
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 450Вт
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 123MHz · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 580W
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: MESFET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 84mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 470mA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 30.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 940mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 33.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 36.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 3.8A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 39.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 5.6A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 41.5dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 282mA · Ток - тестовый: 45mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 28.9dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 564mA · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 31.9dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.12A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 34.9dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.9dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.25A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 37.9dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.3dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.82A · Ток - тестовый: 448mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 38.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 390mA · Коэффициент шума: 3.7dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27dBm · Корпус: SOT-89
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 17В · Номинал тока: 780mA · Коэффициент шума: 3.3dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 29.5dBm · Корпус: SOT-89
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 12.7dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.94A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 6W · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 4.41A · Ток - тестовый: 1.69A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 9Вт · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине