Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PTFA092201E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201F V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA092201F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401EL V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401EL V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA142401FL V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA180701F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001GL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001GL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001HL V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001HL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451E V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA190451F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 11Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 41 42 434445 46 47 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте