Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD85025CSTMicroelectronicsTRANS RF N-CH LDMOST M243
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: M243
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85025-EPD85025-ESTMicroelectronicsTRANS RF POWER LDMOST N-CH
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85025S-EPD85025S-ESTMicroelectronicsTRANS RF POWER LDMOST N-CH
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85025STR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85025TR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 300mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85035CSTMicroelectronicsTRANS RF N-CH LDMOST M243
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: M243
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85035-EPD85035-ESTMicroelectronicsTRANS RF POWER LDMOST N-CH
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85035S-EPD85035S-ESTMicroelectronicsTRANS RF POWER LDMOST N-CH
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85035STR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD85035TR-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 870MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN4416PN4416Fairchild SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 400MHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN4416_D27ZPN4416_D27ZFairchild SemiconductorTRANS TR NPN TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 400MHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF080101M V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 10-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF080101S V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: H32259-2
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF140451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF140451F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-31265
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF141501E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.5GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF180101M V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 10-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF180101S V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: H32259-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF210101M V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.17GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: 10-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF210451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.17GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF210451F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-31265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.17GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTF240101S V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: H32259-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501GL V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA041501GL V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 470MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 39404142434445 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте