Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 305mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  P1dB: 22dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 305mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 60mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  P1dB: 19dBm  ·  Корпус: 4-MiniPak (1412)

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 145mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 60mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 145mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 60mA  ·  Напряжение - тестовое: 4V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 80mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 10dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 5.5V  ·  Номинал тока: 80mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 10dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 3V  ·  Номинал тока: 45mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 1.5V  ·  P1dB: 5dBm  ·  Корпус: 4-SMD (77 Pack)

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 4GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 3V  ·  Номинал тока: 40mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 15mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 5dBm  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4.5V  ·  Номинал тока: 145mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4.5V  ·  Номинал тока: 145mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 1A  ·  Коэффициент шума: 1.1dB  ·  Ток - тестовый: 280mA  ·  Напряжение - тестовое: 4.5V  ·  P1dB: 29dBm  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 1A  ·  Коэффициент шума: 1dB  ·  Ток - тестовый: 280mA  ·  Напряжение - тестовое: 4.5V  ·  P1dB: 29dBm  ·  Корпус: 8-LPCC