Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BLF6G38-10G,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.1A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38-10G,118	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.1A · Ток - тестовый: 130mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38-25,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 8.2A · Ток - тестовый: 225mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4.5W · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38-50,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 16.5A · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 9Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38LS-100,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 34A · Ток - тестовый: 1.05A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38LS-50,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 16.5A · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 9Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G38S-25,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 3.8GHZ SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.4GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 8.2A · Ток - тестовый: 225mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4.5W · Корпус: SOT-608B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF861A,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: 4-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF871,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 89V · Номинал тока: 1.4µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 40В · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF872,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT800 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 4-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF878,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 89V · Номинал тока: 1.4µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 40В · P1dB: 300Вт · Корпус: 5-LDMOST	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLL1214-250,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 45A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 250Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLL1214-35,112	NXP Semiconductors	TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 35Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731-120,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731-6G,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 6W · Корпус: 3-LDMOST, SOT957C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G2731S-120,112	NXP Semiconductors	TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 33A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 120W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G3135-120,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 7.2A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLS6G3135-20,112	NXP Semiconductors	TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 60V · Номинал тока: 2.1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CFH400	Triquint Semiconductor Inc	IC PHEMT FET TRANSISTOR SOT343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 15.7dB · Номинальное напряжение: 5.5V · Номинал тока: 80mA · Коэффициент шума: 0.55dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 6dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CFH800	Triquint Semiconductor Inc	IC PHEMT FET GAAS TRANS SC70-4 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 5.5V · Номинал тока: 160mA · Коэффициент шума: 0.56dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 8.5dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40010F	Cree Inc	TRANS 10W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 3.5A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 12.5W · Корпус: 440166	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40025F	Cree Inc	TRANS 25W RF GAN HEMT 440166 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.7GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: 440166	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40035F	Cree Inc	TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 3.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 10.5A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: 440193	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40045F	Cree Inc	TRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2.5GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 55Вт · Корпус: 440193	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	CGH40090PP	Cree Inc	TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG Тип транзистора: HEMT · Частота: 2GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 84V · Номинал тока: 28A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 440199	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 11 12 131415 16 17 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте