Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLF6G10-45,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10-45,135 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS 1GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-135R,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-135R,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-135RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1GHz · Усиление: 28dB · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-160,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1GHz · Усиление: 28dB · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-160RN,11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 32Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10LS-200R,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200R,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10LS-200RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF6G10S-45,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION DRIVER SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 1Вт · Корпус: SOT-608B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-110,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-180PN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 50Вт · Корпус: 5-LDMOST | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-230P | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 50Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-45,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR BASESTATION SOT-608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20-45,135 | NXP Semiconductors | TRANS BASESTATION LDMOS SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 19.2dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 360mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2.5Вт · Корпус: SOT-608A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-110,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-110,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 29A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-140,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-140,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT896B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-75,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G20LS-75,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |