Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	ATF-511P8-TR1	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 14.8dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1.4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 30dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-50189-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-36077-STR	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2-18GHZ ULT LN 77-SMD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 3V · Номинал тока: 45mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 1.5V · P1dB: 5dBm · Корпус: 4-SMD (77 Pack)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE552R479A-T1-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3V 79A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.45GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 300mA · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 26dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-501P8-TR1	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA 8-LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-501P8-TR2	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA 8-LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-50189-TR1	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1.1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-36077-TR1	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2-18GHZ ULT LN 77-SMD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 12GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 3V · Номинал тока: 45mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 1.5V · P1dB: 5dBm · Корпус: 4-SMD (77 Pack)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5520379A-T1A-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 915MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.5A · Напряжение - тестовое: 3.2V · P1dB: 35.5dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-53189-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 900MHz · Усиление: 17.2dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 300mA · Коэффициент шума: 0.8dB · Ток - тестовый: 135mA · Напряжение - тестовое: 4V · P1dB: 21.7dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5520279A-T1-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 600mA · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 3.2V · P1dB: 32dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE651R479A-T1-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85006L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 5Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84006L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-52189-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA SOT-89 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 500mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 27dBm · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-521P8-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 500mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 26.5dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1513NT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 520MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54003L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMH3111NT1	Freescale Semiconductor	TRANS GAAS HFET SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 900MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 6V · Номинал тока: 300mA · Коэффициент шума: 3.2dB · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 22.5dBm · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE350184C	NEC	HJ-FET 20GHZ MICRO-X Тип транзистора: HFET · Частота: 20GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 4V · Номинал тока: 70mA · Коэффициент шума: 0.7dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2V · Корпус: Micro-X ceramic (84C)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-511P8-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 14.8dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1.4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 30dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE6510179A-T1-A	NEC	HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A Тип транзистора: HFET · Частота: 1.9GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.8A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3.5V · P1dB: 32.5dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84008L-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 8 9 101112 13 14 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте