Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLF346,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT119A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 224.25MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 13A · Ток - тестовый: 3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-119A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF368,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF3G21-30,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF3G21-6,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.3A · Ток - тестовый: 90mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 6W · Корпус: SOT-538A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF4G10-160,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G10LS-120,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 920MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 48W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G10LS-160,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894.2MHz · Усиление: 19.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 160W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20LS-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.4dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 650mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 14.6dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G20S-110B,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 33W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF4G22S-100,112 | NXP Semiconductors | BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 25Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BLF542,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 500MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-171A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF544,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT171A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3.5A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: SOT-171A | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF546,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT268A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 80Вт · Корпус: SOT-268A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF548,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A2 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 500MHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 160A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-262A2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF571,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 27.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 3.6A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 20Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF573S,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 27.2dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 42A · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF574,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT539A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 225MHz · Усиление: 26.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 56A · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 400Вт · Корпус: 5-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF647,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 600MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 4-LDMOST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF647A,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT540A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 600MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 120W · Корпус: 4-LDMOST | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10-135RN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10-160RN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 22.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 39A · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 32Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BLF6G10-200RN,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 49A · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 40Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |