Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA210701F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 18W
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA180701F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 70W H-37265-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.84GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-30248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851E V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-30248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851F V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CLY5CLY5Triquint Semiconductor IncIC GAAS FET 26.5DBM SOT223-4
Тип транзистора: FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 1.2A  ·  Коэффициент шума: 1.72dB  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 30dBm  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CLY2Triquint Semiconductor IncIC GAAS FET FOR PA DVR MW-6
Тип транзистора: FET  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 600mA  ·  Коэффициент шума: 1.48dB  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 23.5dBm  ·  Корпус: MW-6
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0189SHF-0189Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20.1dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 200mA  ·  Коэффициент шума: 3.2dB  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 27.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289SHF-0289Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289ZSHF-0289ZSirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N54862N5486ON SemiconductorIC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5486G2N5486GON SemiconductorIC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CRF24010FECree IncIC MESFET SIC 10W FLANGED 440166
Тип транзистора: MESFET  ·  Частота: 1.95GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 120V  ·  Номинал тока: 1.8A  ·  Коэффициент шума: 3.1dB  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 48V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 440166
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CRF24010PECree IncIC MESFET SIC 10W PILL 440196
Тип транзистора: MESFET  ·  Частота: 1.95GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 120V  ·  Номинал тока: 1.8A  ·  Коэффициент шума: 3.1dB  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 48V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 440196
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CRF24060FECree IncIC MESFET SIC 60W FLANGED 440193
Тип транзистора: MESFET  ·  Частота: 1.1GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 120V  ·  Номинал тока: 9A  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 48V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: 440193
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9210R5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN 860C3
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.9A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: NI-860C3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9210R3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN 860C3
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.9A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: NI-860C3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9180R5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 170Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9180R6Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-1230
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 170Вт  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF282SR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 75mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-200S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF281SR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: NI-200S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF281ZR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: NI-200Z
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF282ZR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Ток - тестовый: 75mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: NI-200Z
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF9030LR1Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-360
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: NI-360
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 78910111213 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте