Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PTFA210701F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 18W | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA180701F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.84GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851F V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CLY5 | Triquint Semiconductor Inc | IC GAAS FET 26.5DBM SOT223-4 Тип транзистора: FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 1.2A · Коэффициент шума: 1.72dB · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 5V · P1dB: 30dBm · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
CLY2 | Triquint Semiconductor Inc | IC GAAS FET FOR PA DVR MW-6 Тип транзистора: FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 600mA · Коэффициент шума: 1.48dB · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 23.5dBm · Корпус: MW-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SHF-0189 | Sirenza Microdevices Inc | IC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20.1dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 200mA · Коэффициент шума: 3.2dB · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 27.5dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SHF-0289 | Sirenza Microdevices Inc | IC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SHF-0289Z | Sirenza Microdevices Inc | IC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N5486 | ON Semiconductor | IC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5486G | ON Semiconductor | IC JFET N-CH VHF/UHF 25V TO92 Тип транзистора: N-Channel JFET · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 30mA · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
CRF24010FE | Cree Inc | IC MESFET SIC 10W FLANGED 440166 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.95GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 1.8A · Коэффициент шума: 3.1dB · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 2Вт · Корпус: 440166 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CRF24010PE | Cree Inc | IC MESFET SIC 10W PILL 440196 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.95GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 1.8A · Коэффициент шума: 3.1dB · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 2Вт · Корпус: 440196 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CRF24060FE | Cree Inc | IC MESFET SIC 60W FLANGED 440193 Тип транзистора: MESFET · Частота: 1.1GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 120V · Номинал тока: 9A · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 48V · P1dB: 60Вт · Корпус: 440193 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9210R5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN 860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-860C3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9210R3 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN 860C3 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.9A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 40Вт · Корпус: NI-860C3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9180R5 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9180R6 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 170Вт · Корпус: NI-1230 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF282SR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-200S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF281SR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 4Вт · Корпус: NI-200S | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF281ZR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 12.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 4Вт · Корпус: NI-200Z | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF282ZR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: NI-200Z | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MRF9030LR1 | Freescale Semiconductor | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 945MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: NI-360 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |