Дискретные полупроводники · Высокочастотные диоды

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Максимальное обратное напряжение	50V
Ток- макс.	100mA
Емкость @ реверсивное напряжение, частота	0.3pF @ 5V, 1MHz
Сопротивление @ If, F	1 Ohm @ 10mA, 100MHz
Рассеяние мощности (макс.)	250mW
Тип диода	PIN - Single
Корпус	SCD 80
Встречается под наим.	BAR6302WE6433XT, SP000010171

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BAR 63-02W E6127	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SCD 80		Доп. информация Искать в поставщиках
	BAR 63-02W E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SCD 80	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов