Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Неуправляемый вентиль (одиночные)

 
10ETF12S

- Габаритный чертеж

10ETF12S — DIODE FAST REC 1200V 10A D2PAK

ПроизводительVishay/Semiconductors
Напряжение DC реверсный1200V (1.2kV)
Прямое напряжение1.33V @ 10A
Ток выпрямленный10A
Обратный ток утечки100µA @ 1200V
Тип диодаСтандарт
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное Время Восстановления310ns
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусD²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Встречается под наим.*10ETF12S, VS-10ETF12S, VS-10ETF12S-ND, VS10ETF12S, VS10ETF12S-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
10ETF12STRL10ETF12STRLVishay/SemiconductorsDIODE FAST REC 1200V 10A D2PAK
Напряжение DC реверсный: 1200V (1.2kV)  ·  Прямое напряжение: 1.33V @ 10A  ·  Ток выпрямленный: 10A  ·  Обратный ток утечки: 100µA @ 1200V  ·  Тип диода: Стандарт  ·  Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  ·  Обратное Время Восстановления: 310ns  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
10ETF12STRR10ETF12STRRVishay/SemiconductorsDIODE FAST REC 1200V 10A D2PAK
Напряжение DC реверсный: 1200V (1.2kV)  ·  Прямое напряжение: 1.33V @ 10A  ·  Ток выпрямленный: 10A  ·  Обратный ток утечки: 100µA @ 1200V  ·  Тип диода: Стандарт  ·  Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  ·  Обратное Время Восстановления: 310ns  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «10ETF12S» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте