Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

ZXMN6A25DN8TA — MOSFET 2N-CH 60V 4.6A 8-SOIC

Производитель	Diodes/Zetex
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 3.6A, 10V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 5V
Ток @ 25°C	3.8A
Емкость @ Vds	1063pF @ 30V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	ZXMN6A25DN8, ZXMN6A25DN8-ND