Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 
ZXMN6A11DN8TA

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

ZXMN6A11DN8TA — MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC

ПроизводительDiodes/Zetex
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 2.5A, 10V
Напряжение (Vdss)60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.7nC @ 10V
Ток @ 25°C2.5A
Емкость @ Vds330pF @ 40V
Полярность2 N-Channel (Dual)
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная1.25W
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.ZXMN6A11DN8CT
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXMN6A11DN8TCZXMN6A11DN8TCDiodes/ZetexMOSFET N-CHAN 60V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 330pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «ZXMN6A11DN8TA» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте