Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3A, 10V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Ток @ 25°C	3A, 2A
Емкость @ Vds	340pF @ 25V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC
Встречается под наим.	BSO612CV G-ND, BSO612CVGINTR, BSO612CVGT, BSO612CVGXT, BSO612CVT, BSO612CVXTINTR, BSO612CVXTINTR-ND, SP000216307

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BSO612CV	Infineon Technologies	MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов