Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

BSO315C — MOSFET DUAL N/PCH +/-30V 8-SOIC

Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.4A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.7nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.4A, 2.3A
Емкость @ Vds	250pF @ 25V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SO-8
Встречается под наим.	BSO315CINTR