Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

BSO211P — MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC

Производитель	Infineon Technologies
Серия	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Напряжение (Vdss)	20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23.9nC @ 4.5V
Ток @ 25°C	4.7A
Емкость @ Vds	920pF @ 15V
Полярность	2 P-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SO-8
Встречается под наим.	BSO211PINTR