Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 25.5A, 10V
Напряжение (Vdss)	500В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 10V
Ток @ 25°C	51A
Емкость @ Vds	7000pF @ 25V
Полярность	Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	390W
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP4 Module

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APTM50HM65FTG	Microsemi-PPG	MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов