Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
APTM50H15UT1G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Ток @ 25°C: 25A · Емкость @ Vds: 5448pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 208W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |