Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 

APTM20HM20FTG — MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4

ПроизводительMicrosemi-PPG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 44.5A, 10V
Напряжение (Vdss)200В
Gate Charge (Qg) @ Vgs112nC @ 10V
Ток @ 25°C89A
Емкость @ Vds6850pF @ 25V
Полярность4 N-Channel (H-Bridge)
ОсобенностиСтандарт
Мощность макcимальная357W
Тип монтажаChassis Mount
КорпусSP4 Module
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM20HM20STGMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 89A  ·  Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM20DHM20TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 89A  ·  Емкость @ Vds: 6850pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «APTM20HM20FTG» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте