Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 104A, 10V
Напряжение (Vdss)	200В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	280nC @ 10V
Ток @ 25°C	208A
Емкость @ Vds	14400pF @ 25V
Полярность	Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	781W
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP6

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APTM20HM08FG	Microsemi-PPG	MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 208A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 781W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов