Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
APTM50HM35FG | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Ток @ 25°C: 99A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 781W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM38FG | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 694W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM65FT3G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM65FTG | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM75FT3G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 357W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM75FTG | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 357W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM75SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD FULL BRDG SER/SIC SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5590pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 357W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50HM75STG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 46A · Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 357W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50TAM65FPG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM50TDUM65PG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Ток @ 25°C: 51A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM60A11UT1G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Емкость @ Vds: 10552pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 390W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM60A23UT1G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 5316pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 208W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTM60H23UT1G | Microsemi-PPG | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 5316pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 208W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSC072N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 57Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TDSON-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSC150N03LD G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 1100pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TDSON-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 720pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TDSON-8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSD223P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL PCH 20V 390MA SOT363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSD223P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 39MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSD235C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 950mA, 530mA · Емкость @ Vds: 47pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSD235N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 950mA · Емкость @ Vds: 63pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL205N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL207N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL214N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL215C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL215P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 346pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |