Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM50HM35FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 99A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 781W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM38FGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM65FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM65FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM75FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 46A  ·  Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM75FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 46A  ·  Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM75SCTGMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRDG SER/SIC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 46A  ·  Емкость @ Vds: 5590pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50HM75STGMicrosemi-PPGMOSFET MOD FULL BRDG SER/PAR SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 46A  ·  Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50TAM65FPGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50TDUM65PGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM60A11UT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 40A  ·  Емкость @ Vds: 10552pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM60A23UT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 20A  ·  Емкость @ Vds: 5316pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM60H23UT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 20A  ·  Емкость @ Vds: 5316pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSC072N03LD GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 20A  ·  Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 57Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TDSON-8
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSC150N03LD GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 20A  ·  Емкость @ Vds: 1100pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TDSON-8
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSC750N10ND GInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 13A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 720pF @ 50V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TDSON-8
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSD223PBSD223PInfineon TechnologiesMOSFET DUAL PCH 20V 390MA SOT363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 390mA  ·  Емкость @ Vds: 56pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSD223P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 39MA SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 390mA  ·  Емкость @ Vds: 56pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSD235C L6327Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 950mA, 530mA  ·  Емкость @ Vds: 47pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSD235N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 950mA  ·  Емкость @ Vds: 63pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL205N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 419pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL207N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Емкость @ Vds: 419pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL214N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL215C L6327Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL215P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 346pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте