Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM50AM19STGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASELEG SER/SIC LP8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 170A  ·  Емкость @ Vds: 22400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM24SCGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASE LEG SER/SIC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 434nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Емкость @ Vds: 19600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM24SGAPTM50AM24SGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 500V 150A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 434nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Емкость @ Vds: 19600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM25FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG LP8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 149A  ·  Емкость @ Vds: 29600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM35FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 99A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 781W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM38FTGMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM38SCTGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASE LEG SER/SIC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM38STGMicrosemi-PPGMOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM70UT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 50A  ·  Емкость @ Vds: 10800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DDA10T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 37A  ·  Емкость @ Vds: 4367pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 312W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DDAM65T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DHM35GMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 99A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 781W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DHM38GMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DHM65TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DHM75TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 46A  ·  Емкость @ Vds: 5600pF @ 25V  ·  Полярность: Asy ммetrical Bridge (2 N-Channel)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 357W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DSK10T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 37A  ·  Емкость @ Vds: 4367pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 312W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DSKM65T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 51A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 390W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM17GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 180A  ·  Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM19GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 492nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 163A  ·  Емкость @ Vds: 22400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1136W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM25TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC LP8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1200nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 149A  ·  Емкость @ Vds: 29600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM35TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 99A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 781W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50DUM38TGMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 246nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Емкость @ Vds: 11200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 694W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50H10FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 37A  ·  Емкость @ Vds: 4367pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 312W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50H14FT3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 26A  ·  Емкость @ Vds: 3259pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50H15UT1GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 25A  ·  Емкость @ Vds: 5448pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 208W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте