Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
2N7002V-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDC7001C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA, 340mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF5851TRPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA3023PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002DW-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6321C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA, 410mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6335N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 700MA SOT-363 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1023X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL P-CH 20V 370MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 370mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AON3816 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1315pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6332C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA, 600mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0187B00L | Panasonic - SSG | MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 5P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL316C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1.5A · Емкость @ Vds: 94pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL207N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2510NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP58D0SV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 27pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO8820 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 615pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD3102CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3.1A · Емкость @ Vds: 510pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1023X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 370mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG8842CZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/-25V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 750mA, 410mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG8850NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 750mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 750mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0487C00L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 10pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6M4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL315P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL306N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 275pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2501NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |