Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
HAT2210R | Renesas Technology America | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/8A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.75A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 630pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SP8K3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.56nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8.54A · Емкость @ Vds: 798pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.17W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8A01(TE12L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 8.5A · Емкость @ Vds: 940pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC8A01(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 8.5A · Емкость @ Vds: 940pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS8DNH3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 857pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS8DNF3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 800pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K4TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDF3N04HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 32V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.39W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
XP0187800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP04878G0L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0487800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
XN0187200L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V 100MA MINI-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 15pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-5, SOT-753 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
XP0487800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V 100MA S-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDF1N05ER2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9959 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9955 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 345pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI9955DY | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 345pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDC7002N | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7341 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7341TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7341TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7341PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 740pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |