Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
HAT2210RHAT2210RRenesas Technology AmericaMOSFET 2N-CH 30V 7.5A/8A 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.75A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K3TBSP8K3TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 600pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMG4800LSD-13Diodes IncMOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.56nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 8.54A  ·  Емкость @ Vds: 798pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.17W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A04DN8TAZXMN3A04DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC8A01(TE12L)TPC8A01(TE12L)ToshibaMOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 8.5A  ·  Емкость @ Vds: 940pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC8A01(TE12L,Q)TPC8A01(TE12L,Q)ToshibaMOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 8.5A  ·  Емкость @ Vds: 940pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS8DNH3LLSTS8DNH3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 857pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS8DNF3LLSTS8DNF3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K4TBSP8K4TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMDF3N04HDR2MMDF3N04HDR2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 32V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.39W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XP0187800LXP0187800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04878G0LUP04878G0LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0487800LUP0487800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0187200LXN0187200LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V 100MA MINI-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 15pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-5, SOT-753
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XP0487800LXP0487800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V 100MA S-MINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMDF1N05ER2MMDF1N05ER2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 330pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9959Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDS9955Fairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 345pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI9955DYSI9955DYFairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 345pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NDC7002NNDC7002NFairchild SemiconductorMOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 510mA  ·  Емкость @ Vds: 20pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7341IRF7341International RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 740pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7341TRIRF7341TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 740pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7341TRPBFIRF7341TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 740pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7341PBFIRF7341PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Емкость @ Vds: 740pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N7002DW-TP2N7002DW-TPMicro Commercial CoMOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 45678910 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте