Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
ZXMD63C03XTA | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A, 2A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.04W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63P03XTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL P-CHAN 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN6A09DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD65N03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 6.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMP6A17DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 60V 3.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 637pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMC4A16DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.6A · Емкость @ Vds: 770pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMP6A16DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 1021pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63P03XTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63C03XTC | Diodes/Zetex | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25 V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.04W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD65N02N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 6.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65P02N8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMN3A06N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63N02XTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDM4306NTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 350pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMC3A17DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A · Емкость @ Vds: 600pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63C02XTC | Diodes/Zetex | MOSFET N/P-CHAN DUAL 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.04W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63N03XTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A04DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZDM4206NTC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDY3001NZ | Fairchild Semiconductor | MSOFET N-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDG6322C_D87Z | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 410mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDY4000CZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA, 350mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |