Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
APTM100A13SGAPTM100A13SGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 65A  ·  Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM100A13SCGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1000V (1kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 562nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 65A  ·  Емкость @ Vds: 15200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM10AM02FGAPTM10AM02FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 100V 495A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1360nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 495A  ·  Емкость @ Vds: 40000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM120H29FGAPTM120H29FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 1200V 34A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 1200V (1.2kV)  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 374nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 34A  ·  Емкость @ Vds: 10300pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 780W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM20AM04FGAPTM20AM04FGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 200V 372A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 560nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 372A  ·  Емкость @ Vds: 28900pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
APTM50AM24SGAPTM50AM24SGMicrosemi-PPGPWR MODULE MOSFET 500V 150A SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 434nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Емкость @ Vds: 19600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1250W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI9936DY,518SI9936DY,518NXP SemiconductorsTRANS N-CH 30V 5A SOT96-1
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
QS5K2TRQS5K2TRRohm SemiconductorTRANS N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TSMT5
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859следующая  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте