Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI5513DC-T1-E3SI5513DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A, 2.1A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3993DV-T1-E3SI3993DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7956DP-T1-E3SI7956DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1016X-T1-E3SI1016X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA, 370mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6925ADQ-T1-GE3SI6925ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1913DH-T1-E3SI1913DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 880mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5920DC-T1-E3SI5920DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 680pF @ 4V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.04W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6544BDQ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A, 3.8A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859следующая  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте