Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXMD65N03N8TAZXMD65N03N8TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P02N8TAZXMD65P02N8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 960pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P02N8TCZXMD65P02N8TCDiodes/ZetexMOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 960pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P03N8TAZXMD65P03N8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 930pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC10A07N8TCDiodes IncMOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 800mA, 680mA  ·  Емкость @ Vds: 138pF @ 60V  ·  Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC10A07T8TAZXMHC10A07T8TADiodes/ZetexMOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1A, 800mA  ·  Емкость @ Vds: 138pF @ 60V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC3A01N8TCDiodes IncMOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.17A, 1.64A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC3A01T8TAZXMHC3A01T8TADiodes/ZetexMOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 15V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A, 2A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC3F381N8TCDiodes IncMOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.98A, 3.36A  ·  Емкость @ Vds: 430pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC6A07N8TCZXMHC6A07N8TCDiodes IncMOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.39A, 1.28A  ·  Емкость @ Vds: 166pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 870mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHC6A07T8TAZXMHC6A07T8TADiodes/ZetexMOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.6A, 1.3A  ·  Емкость @ Vds: 166pF @ 40V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMHN6A07T8TAZXMHN6A07T8TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A  ·  Емкость @ Vds: 166pF @ 40V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN2A04DN8TAZXMN2A04DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.9A  ·  Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN2A04DN8TCZXMN2A04DN8TCDiodes/ZetexMOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.9A  ·  Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN2AM832TAZXMN2AM832TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 299pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MLP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A04DN8TAZXMN3A04DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A04DN8TCZXMN3A04DN8TCDiodes/ZetexMOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A06DN8TAZXMN3A06DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 796pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A06DN8TCZXMN3A06DN8TCDiodes/ZetexMOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Емкость @ Vds: 796pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3A06N8TAZXMN3A06N8TADiodes/ZetexMOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3AM832TAZXMN3AM832TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MLP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3F31DN8TAZXMN3F31DN8TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.7A  ·  Емкость @ Vds: 608pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN3G32DN8TAZXMN3G32DN8TADiodes/ZetexMOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 472pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN6A09DN8TAZXMN6A09DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN6A09DN8TCZXMN6A09DN8TCDiodes/ZetexMOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте