Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
ZXMD65N03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 6.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65P02N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65P02N8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMD65P03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 930pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC10A07N8TC | Diodes Inc | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 800mA, 680mA · Емкость @ Vds: 138pF @ 60V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC10A07T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1A, 800mA · Емкость @ Vds: 138pF @ 60V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC3A01N8TC | Diodes Inc | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.17A, 1.64A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC3A01T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 15V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC3F381N8TC | Diodes Inc | MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.98A, 3.36A · Емкость @ Vds: 430pF @ 15V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC6A07N8TC | Diodes Inc | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.39A, 1.28A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHC6A07T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.6A, 1.3A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMHN6A07T8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 166pF @ 40V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2AM832TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 299pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A04DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1890pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMN3A06DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A06DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3A06N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3AM832TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3F31DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.7A · Емкость @ Vds: 608pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN3G32DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN6A09DN8TC | Diodes/Zetex | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |