Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 2560pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCT4203(TE12L,E) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A STP2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 790pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 470mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DR | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DRG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8J21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM5K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM6J1NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM6K1NTN | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UM6K1NTR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0187B00L | Panasonic - SSG | MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 5P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0487800L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP04878G0L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0487C00L | Panasonic - SSG | MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 10pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP0497900L | Panasonic - SSG | MOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V, 30V · Ток @ 25°C: 100mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UP04979G0L | Panasonic - SSG | MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V, 30V · Ток @ 25°C: 100mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 6P | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
US5K3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 1.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
US6J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 150pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 110pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6M1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |