Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCS8303(TE12L,Q)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 2560pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCT4203(TE12L,E)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A STP2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 790pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 470mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPS1120DTPS1120DTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPS1120DG4TPS1120DG4Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPS1120DRTPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPS1120DRG4TPS1120DRG4Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 15V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.17A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 840mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TT8J21TRTT8J21TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TT8J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSST
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TT8K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 180pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSST
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM5K1NTRUM5K1NTRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM6J1NTNRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM6K1NTNUM6K1NTNRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UM6K1NTRUM6K1NTRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 13pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0187B00LUP0187B00LPanasonic - SSGMOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 5P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0487800LUP0487800LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04878G0LUP04878G0LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 12pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0487C00LUP0487C00LPanasonic - SSGMOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 3V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0497900LUP0497900LPanasonic - SSGMOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V, 30V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04979G0LUP04979G0LPanasonic - SSGMOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 50V, 30V  ·  Ток @ 25°C: 100mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini 6P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US5K3TRUS5K3TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6J2TRUS6J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6K1TRUS6K1TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 80pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6K2TRUS6K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A  ·  Емкость @ Vds: 70pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6K4TRUS6K4TRRohm SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 110pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6M1TRUS6M1TRRohm SemiconductorMOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 20V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A, 1A  ·  Емкость @ Vds: 70pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте