Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCF8402(TE85L)TPCF8402(TE85L)ToshibaMOSFET N+P 30V 3.2A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCF8402(TE85L,F)TPCF8402(TE85L,F)ToshibaMOSFET N/P-CH 30V 3.2A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCF8402(TE85L,F,MToshibaMOSFET N/P-CH 30V 2-3U1B
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8201(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-CH 30V 7.2A 2-3V1K
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8202(TE85L,F,MTPCP8202(TE85L,F,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A PS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 2.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 2150pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8203(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 40V 4.7A 2-3V1K
Напряжение (Vdss): 40В  ·  Ток @ 25°C: 4.7A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 2-3V1K
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8301(TE85L,F,MTPCP8301(TE85L,F,MToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A PS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PS-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8302(TE85L,F)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3V1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 2.5A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8401(TE85L,F)ToshibaMOSFET N/P-CH 20V 2-3V1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Ток @ 25°C: 100mA, 5.5A  ·  Емкость @ Vds: 9.3pF @ 3V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8402(TE85L,F)ToshibaMOSFET N/P-CH 30V 2-3V1G
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCP8402(TE85L,F,MTPCP8402(TE85L,F,MToshibaMOSFET N/P-CH 30V 4.2/3.4A PS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 580mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PS-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8204(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8205(TE12L)TPCS8205(TE12L)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8205(TE12L,Q)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8208(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8209(TE12L,Q)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8209(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8210(TE12L,Q)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8210(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8211(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8212(TE12L,Q,MToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8213(TE12L,Q)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 3140pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8214(TE12L,Q)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 30V 6A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 3240pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8302(TE12L,Q)ToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPCS8302(TE12L,Q,MToshibaMOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 51525354555657 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте