Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPC8207(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8207(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8208(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH 20V 5A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 780pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8208(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 780pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8210(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 8A SOP-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 3530pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1250pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8 2-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 625pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8216-H(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 6.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8403(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC8403(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC8404(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 2-6J1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.1A, 900mA · Емкость @ Vds: 267pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8405(TE12L,Q,M) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V SOP8 2-6J1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8406-H(TE12LQ,M | Toshiba | MOSFET N-CH P-CH 40V 6.5A SOP-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPC8A01(TE12L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 8.5A · Емкость @ Vds: 940pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPC8A01(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 8.5A · Емкость @ Vds: 940pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8201(TE85L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCF8201(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8301(TE85L) | Toshiba | MOSFET PCH 20V 2.7A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8301(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8302(TE85L) | Toshiba | MOSFET PCH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 800pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8302(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 800pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8303(TE85L) | Toshiba | MOSFET PCH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 860pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCF8303(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 3A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 860pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8304(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 2-3U1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |