Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
STC5NF30VSTC5NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC6NF30VSTC6NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS10DN3LH5STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 475pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS1DNC45STS1DNC45STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC
Серия: SuperMESH™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 450V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 400mA  ·  Емкость @ Vds: 160pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS2DNF30LSTS2DNF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN DUAL 30V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 121pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS2DPF80STS2DPF80STMicroelectronicsMOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 80V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 739pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS3C2F100STS3C2F100STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS3DNE60LSTS3DNE60LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 815pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS3DPF60LSTS3DPF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4C3F60LSTS4C3F60LSTMicroelectronicsMOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3A  ·  Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DNF30LSTS4DNF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN DUAL 30V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 330pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DNF60STS4DNF60STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 315pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DNF60LSTS4DNF60LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1030pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DPF20LSTS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS4DPF30LSTS4DPF30LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1350pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS5DNF20VSTS5DNF20VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS5DPF20LSTS5DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1350pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS7C4F30LSTS7C4F30LSTMicroelectronicsMOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A, 4A  ·  Емкость @ Vds: 1050pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS8C5H30LSTS8C5H30LSTMicroelectronicsMOSFET N+P 30V 8A/4.2A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 8A, 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 857pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS8DNF3LLSTS8DNF3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS8DNH3LLSTS8DNH3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 857pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS9D8NH3LLSTS9D8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET DUAL N-CHAN 30V 9A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8A, 9A  ·  Емкость @ Vds: 857pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC6201(TE85L)ToshibaMOSFET N-CH 30V 2.5A VS-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 170pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-6 (SOT-23-6)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC6201(TE85L,F)ToshibaMOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 170pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-6 (SOT-23-6)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TPC8207(TE12L)TPC8207(TE12L)ToshibaMOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 2010pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 750мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 49505152535455 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте