Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDC6305N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 310pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 110pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN5L06VK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM5K5T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V .3A EMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 300mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6332C_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA, 600mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC2004LPK-7 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 750mA, 600mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDG6301N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6320C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 120mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN32D2LV-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 400mA · Емкость @ Vds: 39pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1024X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6333C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A, 2A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG9926UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.2A · Емкость @ Vds: 856pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 980mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDC7002N | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6401N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 324pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSD223P | Infineon Technologies | MOSFET DUAL PCH 20V 390MA SOT363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1539DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 540mA, 420mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1903DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1029X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA, 190mA · Емкость @ Vds: 30pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1025X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Ток @ 25°C: 190mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1902DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1555DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA, 570mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC3601N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 153pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO6804 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 5.0A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 725pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |