Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF7301TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7301PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7301 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7301TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7530TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7530PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.4A · Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTZD3154NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STS5DNF20V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8205(TE12L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STC5NF20V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8205(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCS8209(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMG8601UFG-7 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.1A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 920мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7311 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7311TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7311TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7311PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN2040LTS-13 | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Емкость @ Vds: 570pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 890mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 630mA · Емкость @ Vds: 46pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTQD4154ZR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1485pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.52W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
ZXMN2A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7331 | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7331TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7331PBF | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7331TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |