Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
DMN5L06V-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DMN5L06VA-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
DMN5L06VAK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN5L06VK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN601DMK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 225mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN601DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN601VK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 305mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMN66D0LDW-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004DMK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 550mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 530mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2066LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.8A · Емкость @ Vds: 820pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP2240UDM-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP3056LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A · Емкость @ Vds: 722pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP3098LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 336pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.8W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP57D5UV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL 50V SOT563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 29pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMP58D0SV-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 27pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8619-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 560pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8620-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A, 1.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8651R-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 10A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8654-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ECH8655R-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM5K5T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V .3A EMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 300mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6J1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 200MA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6K1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |