Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BSO615N G | Infineon Technologies | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Емкость @ Vds: 380pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSO615NV | Infineon Technologies | MOSFET DUAL N-CH 60V 3.1A 8-SOIC Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 340pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSS138DW-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS138DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS8402DW-7 | Diodes Inc | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS8402DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V, 50V · Ток @ 25°C: 115mA, 130mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84DW-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BSS84DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSS84V-7 | Diodes Inc | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 130mA · Емкость @ Vds: 45pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BTS7904B | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH DUAL 40MA TO263-5 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V, 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 121nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Емкость @ Vds: 6100pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 69W, 96W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (5 leads + tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BTS7904S | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH DUAL 40MA TO220-5 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V, 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Ток @ 25°C: 40A · Емкость @ Vds: 6100pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 69W, 96W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TO-220-5 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6615-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.8A · Емкость @ Vds: 187pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6616-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 187pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CSD75204W15 | Texas Instruments | MOSFET PCH -20V -3A 9DSBGA Серия: NexFET™ · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 410pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 9-DSBGA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CSD75205W1015 | Texas Instruments | MOSFET PCH -20V -1.2A 9DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.2A · Емкость @ Vds: 265pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 750мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 9-DSBGA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CSD75301W1015 | Texas Instruments | MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA Серия: NexFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.2A · Емкость @ Vds: 195pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DSBGA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9942T | Diodes Inc | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9945T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 435pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9952T | Diodes Inc | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9956T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC2004DWK-7 | Diodes Inc | MOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC2004LPK-7 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 750mA, 600mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC2004VK-7 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 670mA, 530mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3018LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9.1A, 6A · Емкость @ Vds: 631pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3028LSD-13 | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.8A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |