Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы (одиночные)

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2N7002WT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH SGL 60V 340MA SOT323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 310mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24.5pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 280mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002WT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH SINGLE 60V SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 310mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 24.5pF @ 20V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 280mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SC-70-3, SOT-323-3		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7002W-TP	Micro Commercial Co	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 115mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 200mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SOT-323	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N7008	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 400mW · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ03640QL	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 65V 20MA S-MINI-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 65V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: S-Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ053600L	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: S-Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ0536G0L	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 150mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: S-Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ058200L	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 20V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 10W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: U-G2	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ067400L	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12pF @ 3V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SSS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ0674G0L	Panasonic - SSG	MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12pF @ 3V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: SSS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ162	Renesas Technology America	MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 160V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ162-E	Renesas Technology America	MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 160V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ200-Y(F)	Toshiba	MOSFET P-CH 180V 10A TO-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 180V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 30V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 120W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: 2-16C1B (TO-247 N)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ201-Y(F)	Toshiba	MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 30V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 150W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P(L) (2-21F1B)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ304(F)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 14A TO-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 40W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: 2-10R1B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ312(Q)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 14A TO-220FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 40W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: 2-10S1B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ338(TE16R1,NQ)	Toshiba	MOSFET P-CH 180V 1A PW-MOLD Drain to Source Voltage (Vdss): 180V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 210pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 20W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 2-7J1B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ349(F,T)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 20A TO-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 45W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: 2-10R1B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ352-E	Renesas Technology America	MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 100W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-3P		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ360(F)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ360(TE12L)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: PW-MINI		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ360(TE12L,F)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 500mW · Mounting Type: Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ377(Q)	Toshiba	MOSFET P-CHAN 60V 5A 2-7B1B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 20W · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: 2-7B1B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ377(TE16R)	Toshiba	MOSFET P-CH 60V 5A 2-7B2B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 20W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 2-7J1B		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2SJ377(TE16R1,NQ)	Toshiba	MOSFET P-CH -60V -5A 2-7B2B Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 10V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 20W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 2-7B2B	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 234 5 6 7 8 ... 582следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте