 |
TIS75_D26Z — JFET GP N-CH 30V TO-92
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | TIS75 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| TIS75_J35Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| TIS75_D75Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца